高性能InP基量子点发光二极管（QLED）的开发已成为当前环保显示和照明技术的发展趋势。然而，与已经投入工业应用的Cd基QLED相比，InP基QLED的效率和稳定性仍然面临巨大挑战。近日，纳米光子学团队赵家龙教授研究组采用胶体NiO_x和Mg掺杂NiO_x纳米晶体来制备双层空穴注入层（HIL），以取代经典的PEDOT:PSS HIL来构建高性能InP基QLED。与PEDOT:PSS单HIL的QLED相比，双层HIL使器件的外量子效率从7.6%提高到11.2%，并且在1000 cd m^-2的高亮度下，T₉₅寿命延长了约7倍。研究发现器件性能的提高归因于双层HIL减少了空穴注入的失配势垒，并缩小了ITO/空穴传输层界面的势垒差，以促进载流子平衡注入，实现了高效辐射复合。本研究结果表明，使用具有p型NiO_x的双层HIL可能是制备高性能InP基QLED的有效方法。

该工作以“Boosting electroluminescence performance of all-solution-processed InP-based quantum dot light-emitting diodes using bi-layered inorganic hole injection layer”为题发表在《Photonics Research》（中科院物理与天体物理1区）上。

 

 

论文作者：李虬䶮（博士生），曹盛（通讯作者），于鹏（博士生），宁美静（硕士生），邢珂（博士生），杜振涛，邹炳锁，赵家龙（通讯作者）

论文链接：https://opg.optica.org/prj/fulltext.cfm?uri=prj-10-9-2133&id=497590